【资料图】
日经新闻8月14日消息，日本早稻田大学乘松航教授等人的研究团队开发出了加热平整半导体基板表面的方法。比传统研磨方法更便捷，性能也更高，因此有利于改进半导体的制造工序。团队利用纯电动汽车（EV）等的电力控制所需要的功率半导体材料碳化硅（SiC）进行了确认。碳化硅基板是把晶块切成薄片来制造，截面上容易形成凹凸，不能直接使用。过去是结合多种方法进行研磨，但存在着内部容易出现损伤、表面形成落差的问题。
关键词：
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日经新闻8月14日消息，日本早稻田大学乘松航教授等人的研究团队开发出了加热平整半导体基板表面的方法。比传统研磨方法更便捷，性能也更高，因此有利于改进半导体的制造工序。团队利用纯电动汽车（EV）等的电力控制所需要的功率半导体材料碳化硅（SiC）进行了确认。碳化硅基板是把晶块切成薄片来制造，截面上容易形成凹凸，不能直接使用。过去是结合多种方法进行研磨，但存在着内部容易出现损伤、表面形成落差的问题。
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【日本开发出加热平整半导体基板表面的方法】日经新闻8月14日消息，日
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